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自适应文章网站模板找seo外包公司需要注意什么

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2025 年 1 月 16 日,Virginia Commonwealth University 的 M. A. Reshchikov 和 SUNY–Albany 的 B. McEwen 等人在《Physical Review B》期刊发表了题为《Identity of the shallowest acceptor in GaN》的文章,基于对 50 多个 Be 掺杂 GaN 样品的光致发光实验以及 Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)混合泛函的第一性原理计算,研究了 GaN 中最浅的受主缺陷。实验结果表明,GaN:Be 中 3.38 eV 的紫外发光带(UVLBe)是由 Be 相关的浅受主引起的,其 −/0 转变能级位于价带上方 0.113 eV,第一性原理计算将该受主鉴定为 BeGaONBeGa 复合体,同时预测了一个位于价带上方 0.34 eV 的深能级,但实验中未发现该深能级的证据,该研究的结果对深入理解 GaN 材料的缺陷特性以及开发新型高效的 III 氮化物材料 p 型掺杂具有重要意义。

文章主要结论

  1. 确认新型浅受主:通过光致发光(PL)实验和第一性原理计算,确认氮化镓(GaN)中3.38 eV紫外发光带&

http://www.cadmedia.cn/news/3463.html

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